Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International (CC BY-NC-ND 4.0)Castañeda Melo, Luis FernandoSantos Solano, Jhon Alexander2023-03-022023-03-022022-06-02http://repositorio.uan.edu.co/handle/123456789/7764The memristor is the fourth element that completes the cycle of the variables of an electric circuit, it is passive with two terminals and nonfour fundamental linear, since it directly relates the electric charge with the magnetic flux. The physical realization in the laboratories of Hewlett Packard in 2008 was a very imp ortant advance for electronics, since with this the theory of Leon Chua was demonstrated at the time. In this work, the development of a simulated model for the Hewlett Packard Memristor is exposed, which is implemented in Python, initially making an und erstanding of the mathematical model used in Hewlett Packard and its implementation with a code in Python and carrying out an evaluation. , analysis and comparison of the results with respect to the base model, demonstrates the veracity and effectiveness o f the modelEl memristor es el cuarto elemento que completa el ciclo de las cuatro varaibles fundamentlaes de un circuito electrico, es pasivo de dos termimales y no lineal, puesto que este relaciona directamente la carga electrica con el flujo magnetico. L a realizacion fisica en c los laboratorios de Hewlett packard en el año 2008 fue un avance muy importe para la eclectroni a, puesto que con esto se demuestra la teoria de Leon Chua en su momento En este trabajo se expone el desarrollo de un modelo simulad . o para el Memristor de Hewlett packard, el cual se implementa en Python, realizando inicialmente una comprension del modelo matematico usado en Hewlett Packard y la implementacion del mismo con un codigo en Python y realizando una evaluacion, analisis y co mparacion de los resultados al modelo base, demuestra la veracidad y efectividad del modelo.spaAcceso abiertoMemristorPythonno linealT44.22 S237eTrabajo de grado (Pregrado y/o Especialización)MemristorPythonnonlinealinfo:eu-repo/semantics/openAccesshttp://purl.org/coar/access_right/c_abf2D. B. Strukov, G. S. Snider, D. R. Stewart, and R. S. Williams, “The missing memristor found,” Nature, vol. 453, no. 7191, pp. 80–83, 2008, doi: 10.1038/nature06932.H. V. A. Gallardo and P. Titlacuatitla, “Descripci ´ on del modelo el ´ ectrico del memristor,” vol. 58, no. September 2012, pp. 113–119, 2012.L. O. Chua, “Memristor—The Missing Circuit Element,” IEEE Trans. Circuit Theory, vol. 18, no. 5, pp. 507–519, 1971, doi: 10.1109/TCT.1971.1083337.D. E. Tesis, “Caracterización y pruebas de funcionamiento de memristores tipo Marconi,” 2019.Z. Biolek, D. Biolek, and V. Biolková, “SPICE model of memristor with nonlinear dopant drift,” Radioengineering, vol. 18, no. 2, pp. 210–214, 2009.K. Xu, Y. Zhang, L. Wang, W. T. Joines, and Q. H. Liu, “SPICE model of memristor and its application,” Midwest Symp. Circuits Syst., no. August, pp. 53–56, 2013, doi: 10.1109/MWSCAS.2013.6674583.R. Kozma, R. E. Pino, and G. E. Pazienza, Advances in neuromorphic memristor science and applications. 2012. doi: 10.1007/978-94-007-4491-2.O. Kavehei, A. Iqbal, Y. S. Kim, K. Eshraghian, S. F. Al-Sarawi, and D. Abbott, “The fourth element: Characteristics, modelling and electromagnetic Theory of the memristor,” Proc. R. Soc. A Math. Phys. Eng. Sci., vol. 466, no. 2120, pp. 21752202, 2010, doi: 10.1098/rspa.2009.0553.instname:Universidad Antonio Nariñoreponame:Repositorio Institucional UANrepourl:https://repositorio.uan.edu.co/