Estudio e implementación en Python de un modelo para el Memristor de Hewlett Packard

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dc.contributor.advisorCastañeda Melo, Luis Fernandospa
dc.contributor.authorSantos Solano, Jhon Alexanderspa
dc.creator.cedula20441529818spa
dc.creator.orcid0000-0002-1142-500Xspa
dc.date.accessioned2023-03-02T20:31:40Z
dc.date.available2023-03-02T20:31:40Z
dc.date.issued2022-06-02spa
dc.description.abstractThe memristor is the fourth element that completes the cycle of the variables of an electric circuit, it is passive with two terminals and nonfour fundamental linear, since it directly relates the electric charge with the magnetic flux. The physical realization in the laboratories of Hewlett Packard in 2008 was a very imp ortant advance for electronics, since with this the theory of Leon Chua was demonstrated at the time. In this work, the development of a simulated model for the Hewlett Packard Memristor is exposed, which is implemented in Python, initially making an und erstanding of the mathematical model used in Hewlett Packard and its implementation with a code in Python and carrying out an evaluation. , analysis and comparison of the results with respect to the base model, demonstrates the veracity and effectiveness o f the modeleng
dc.description.abstractEl memristor es el cuarto elemento que completa el ciclo de las cuatro varaibles fundamentlaes de un circuito electrico, es pasivo de dos termimales y no lineal, puesto que este relaciona directamente la carga electrica con el flujo magnetico. L a realizacion fisica en c los laboratorios de Hewlett packard en el año 2008 fue un avance muy importe para la eclectroni a, puesto que con esto se demuestra la teoria de Leon Chua en su momento En este trabajo se expone el desarrollo de un modelo simulad . o para el Memristor de Hewlett packard, el cual se implementa en Python, realizando inicialmente una comprension del modelo matematico usado en Hewlett Packard y la implementacion del mismo con un codigo en Python y realizando una evaluacion, analisis y co mparacion de los resultados al modelo base, demuestra la veracidad y efectividad del modelo.spa
dc.description.degreelevelPregradospa
dc.description.degreenameIngeniero(a) Electrónico(a)spa
dc.description.degreetypeProyectospa
dc.description.notesPresencialspa
dc.identifier.bibliographicCitationD. B. Strukov, G. S. Snider, D. R. Stewart, and R. S. Williams, “The missing memristor found,” Nature, vol. 453, no. 7191, pp. 80–83, 2008, doi: 10.1038/nature06932.spa
dc.identifier.bibliographicCitationH. V. A. Gallardo and P. Titlacuatitla, “Descripci ´ on del modelo el ´ ectrico del memristor,” vol. 58, no. September 2012, pp. 113–119, 2012.spa
dc.identifier.bibliographicCitationL. O. Chua, “Memristor—The Missing Circuit Element,” IEEE Trans. Circuit Theory, vol. 18, no. 5, pp. 507–519, 1971, doi: 10.1109/TCT.1971.1083337.spa
dc.identifier.bibliographicCitationD. E. Tesis, “Caracterización y pruebas de funcionamiento de memristores tipo Marconi,” 2019.spa
dc.identifier.bibliographicCitationZ. Biolek, D. Biolek, and V. Biolková, “SPICE model of memristor with nonlinear dopant drift,” Radioengineering, vol. 18, no. 2, pp. 210–214, 2009.spa
dc.identifier.bibliographicCitationK. Xu, Y. Zhang, L. Wang, W. T. Joines, and Q. H. Liu, “SPICE model of memristor and its application,” Midwest Symp. Circuits Syst., no. August, pp. 53–56, 2013, doi: 10.1109/MWSCAS.2013.6674583.spa
dc.identifier.bibliographicCitationR. Kozma, R. E. Pino, and G. E. Pazienza, Advances in neuromorphic memristor science and applications. 2012. doi: 10.1007/978-94-007-4491-2.spa
dc.identifier.bibliographicCitationO. Kavehei, A. Iqbal, Y. S. Kim, K. Eshraghian, S. F. Al-Sarawi, and D. Abbott, “The fourth element: Characteristics, modelling and electromagnetic Theory of the memristor,” Proc. R. Soc. A Math. Phys. Eng. Sci., vol. 466, no. 2120, pp. 21752202, 2010, doi: 10.1098/rspa.2009.0553.spa
dc.identifier.instnameinstname:Universidad Antonio Nariñospa
dc.identifier.reponamereponame:Repositorio Institucional UANspa
dc.identifier.repourlrepourl:https://repositorio.uan.edu.co/spa
dc.identifier.urihttp://repositorio.uan.edu.co/handle/123456789/7764
dc.language.isospaspa
dc.publisherUniversidad Antonio Nariñospa
dc.publisher.campusVillavicenciospa
dc.publisher.facultyFacultad de Ingeniería Mecánica, Electrónica y Biomédicaspa
dc.publisher.programIngeniería Electrónicaspa
dc.rightsAcceso abierto
dc.rights.accessrightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessspa
dc.rights.coarhttp://purl.org/coar/access_right/c_abf2spa
dc.rights.licenseAttribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International (CC BY-NC-ND 4.0)spa
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/spa
dc.subjectMemristores_ES
dc.subjectPythones_ES
dc.subjectno lineales_ES
dc.subject.ddcT44.22 S237ees_ES
dc.subject.keywordMemristores_ES
dc.subject.keywordPythones_ES
dc.subject.keywordnonlineales_ES
dc.titleEstudio e implementación en Python de un modelo para el Memristor de Hewlett Packardes_ES
dc.typeTrabajo de grado (Pregrado y/o Especialización)spa
dc.type.coarhttp://purl.org/coar/resource_type/c_7a1fspa
dc.type.coarversionhttp://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
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dcterms.audienceEspecializadaspa
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Ingeniería electrónica